Решение об этом приняла городская комиссия по наименованиям по инициативе Президиума Учреждения Сибирского отделения Российской академии наук, сообщает пресс-центр мэрии. Таким образом будет увековечено имя выдающегося российского ученого в области физики поверхности полупроводников, академика, основателя и первого директора института физики полупроводников СО РАН, ветерана Великой Отечественной войны Анатолия Васильевича Ржанова.


Академик Анатолий Васильевич Ржанов (1920-2000) - крупнейший ученый в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Анатолий Васильевич прошел очень сложный жизненный путь - воевал, был ранен на Ленинградском фронте. В 1962 году по приглашению академика М.А.Лаврентьева он с группой сотрудников ФИАНа переезжает в новосибирский Академгородок, где организует Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники (впоследствии Институт физики полупроводников). За относительно короткое время был создан коллектив ученых и инженеров, способных выполнять глубокие фундаментальные и прикладные исследования. В числе таких разработок можно упомянуть энергонезависимые матричные элементы памяти, различные приборы и устройства СВЧ-электроники и фотоприемные устройства от видимого до дальнего инфракрасного диапазона спектра излучения. В первую очередь разработки института использовались на полупроводниковых предприятиях Сибирского региона. Достижения института были отмечены пятью Государственными премиями и Премией Совета министров СССР. Заслуги Анатолия Васильевича перед страной отмечены высокими правительственными наградами. Он награжден орденами Трудового Красного Знамени, Октябрьской революции, Ленина, «За заслуги перед Отечеством» IV степени. За мужество и героизм, проявленные на фронте, А.В. Ржанов награжден также боевыми орденами и медалями.