Представитель Нагойского университета, Нобелевский лауреат по физике Хироси Амано подписал соглашение о сотрудничестве с Институтом физики полупроводников Сибирского отделения РАН. В рамках соглашения российские и японские коллеги будут проводить совместные исследования.

Основные этапы сотрудничества ученые обсудили во время визита Хироси Амано в новосибирский Академгородок. Также в составе делегации были чрезвычайный и полномочный посол Японии в России Тикахито Харада и профессор Нагойского университета Шигеказу Матсуро.

Как сообщает издание «Наука в Сибири», Хироши Амано отметил ряд приоритетных направлений для исследований: атомная структура границ раздела полупроводников, физика низкоразмерных структур, полупроводниковая фото- и оптоэлектроника. Также иностранным гостям показали лаборатории института.

Нобелевского лауреата особенно заинтересовали работы по излучателям одиночных фотонов — по содержанию эта тема наиболее близка к его исследованиям, результатом которых стало создание голубых светодиодов. Господин Амано был восхищен большим количеством установок молекулярно-лучевой эпитаксии в институте и тем, что было достигнуто с помощью этой технологии. Желая укрепить научные связи, он предложил расширить круг направлений совместных исследований.

Посол Японии рекомендовал добавить в соглашение совместные симпозиумы и семинары по взаимно согласованной тематике, а также обмен учеными и инженерами для проведения консультаций, исследований и участия в двусторонних мероприятиях. Профессор Нагойского университета предложил внести в меморандум подготовку научных кадров высшей квалификации.